【商品简介】： 扩散炉专门设计用于半导体材料扩散、氧化工艺；同时也用于太阳能电池行业的氮化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、多晶硅等多种渡膜（LPCVD）工艺。 窑炉采用FEC陶瓷纤维管保温、KANTHEL炉丝，气炼石英管作为炉膛, 可预抽真空并可通入参与反应沉积的气体。 温度控制系统选用日本进口单回路智能温度控制仪控制、温区设计隔板结构，恒温区温度均匀。进口或国产气氛控制系统，质量流量计控制。设备具有温度均匀、控制稳定、温区间温度扰动小、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想企业的研制、生产设备。
【备 注】：
主要技术参数见下表：
项目
参数
炉膛尺寸
ф180（外径）×2200 mm
加热区长
700 mm
温区点数
3 点/单管
工作温度
RT～ 1200℃ （最高炉温 1250℃ ）
控制精度
±1 ℃
报警保护
超温、欠温、断偶、等报警保护
升温功率
12 KW/单管
重量
550 Kg
注：用户有何特殊要求可协商。
