东芝3D芯片堆叠策略：像建楼一样造闪存

 东芝正在打造高层闪存和ReRAM芯片，预计原型样本将于明年推出。

　　高层或3D芯片的想法是：我们可以回避闪存或内存芯片存储密度增加的局限性，将它们向上堆叠，从而增加存储密度，就像高层住宅能够居住更多人一样。

　　从Nikkei Electronics得知，东芝正在使用一种NAND、其p-BiCS技术以及ReRAM(阻性RAM)来构建3D堆叠，ReRAM是NAND潜在的替代技术，它结合了RAM和NAND的属性来提供字节寻址能力、DRAM级速度和NAND非易失性。

　　正如下图所示，3D闪存包含NAND堆叠层，它们通过通信孔(TSV或者Through Silicon Via)的来链接到堆栈基的堆栈控制器。这并不是将NAND芯片堆叠在另一个芯片之上，而是在单个芯片中堆叠NAND层。

                             
                                   东芝3D芯片堆叠策略：像建楼一样造闪存

东芝p-BiCS技术

　　东芝的p-BiCS NAND有一个50纳米大小的洞和16层，东芝的首席工程师Masaki Momodomi表示，当使用超过15层时，假设是类似的容量水平的话，p-BiCS要比普通的NAND更便宜。该公司计划在明年提供128Gbit和256Gbit原型样本，在2014年提供工程样本，在2015年进行量产，我们还需要等待两年才能在市面上看到这个产品。

　　ReRAM技术也是类似的时间表。它比NAND有更快的写入时间，东芝认为ReRAM能够发挥与p-BiCS不同的作用，它将用于比p-BiCS更接近CPU的未知，STT-RAM用于SSD中的高速缓存。Objective Analysis的Jim Handy表示：“ReRAM将被用于高性能应用程序，它们的写入速度快于NAND，它们是随机访问设备，而NAND不是，它们不需要ECC，这些都能够带来更快性能。”

　　东芝的ReRAM技术的原型样本、工程样本和量产时间将于p-BiCS基本一致。东芝展示了64Gbit ReRAM设备的图片，但东芝计划提供相当容量的p-BiCS和ReRAM。

　　东芝计划减小现有1Xnm(19纳米)NAND单元的大小，将于今年推出1Ynm(据我们了解18-14纳米)，明年推出1Znm(10-13纳米)产品。

　　Handy表示：“所有这些新技术(MRAM、ReRAM、FRAM等)都比NAND有更好的表现(BiCS是NAND的一种)，但更加昂贵。对于内存而言，成本就是一切，这些替代品在这方面并没有做好。这些技术的承诺是它们能够跨越过去NAND的扩展限制，如果真的是这样的话，它们最终将比NAND更便宜。”

　　“东芝谈到1y和1z，19纳米后的工艺。我怀疑NAND大约会在10纳米停止扩展，但BiCS将导致NAND价格继续下降。”

　　我们会继续看到NAND尺寸下降吗?还是通过3D从NAND的堆叠中获得更多容量?Handy表示：“最新的ITRS(国际半导体技术发展路线图)为NAND指出了两个不同的方向，垂直(BiCS)和传统。行业真的不知道未来将如何发展，但让我们拭目以待。”

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